全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已确立150V耐压GaN HEMT“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量产体制，该系列产品的栅极耐压（栅极-源极间额定电压）高达8V，非常适用于基站、数据中心等工业设备和各种物联网通信设备的电源电路。

　　新产品于2022年3月起开始量产，前期工序的生产基地为ROHM Hamamatsu Co., Ltd.（日本滨松市），后期工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.（日本京都市）。

　　ROHM将有助于节能和小型化的GaN器件产品阵容命名为“EcoGaN？”，并一直致力于进一步提高器件的性能。今后，ROHM将继续开发融入了“Nano Pulse Control？”等模拟电源技术的控制IC及其模块，通过提供能够更大程度地发挥GaN器件性能的电源解决方案，为实现可持续发展社会贡献力量。