人们普遍认为，SiC MOSFET可以实现非常快的开关速度，有助于显著降低电力电子领域功率转换过程中的能量损耗。然而，由于传统功率半导体封装的限制，在实际应用中并不总是能发挥SiC元器件的全部潜力。

　　近期，由全球知名半导体厂商——ROHM（罗姆）的工程师撰写的《采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装的SiC MOSFET》技术文章中， 确认了SiC MOSFET采用具备驱动器源极引脚的低电感表贴封装所带来的性能优势。研究结果表明，尤其是在大电流条件下，由于栅极环路不受dI/dt以及源极引脚电感导致的电压降的影响，因此采用表贴封装的产品导通损耗大大降低。封装电感的总体减小还使得SiC MOSFET的关断速度加快。这两个优点显著降低了器件导通和关断时的开关损耗。在系统方面，已经看到，图腾柱PFC中采用RDS（ON）为60mΩ的650V SiC MOSFET时的转换效率超过98%，这将有利于实现非常紧凑的设计，因此可以说，这对于车载充电器等车载应用开发来说是非常重要的关键点。