全球知名半导体制造商罗姆，开发出沟槽栅结构SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品。

　　此次新开发的系列产品采用4引脚封装（TO-247-4L），可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装（TO-247N）相比，开关损耗可降低约35％。另外，罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”，该评估板中配置有非常适用于SiC元器件的驱动的ROHM栅极驱动器IC（BM6101FV-C）、各种电源IC及分立产品。

　　近年来，数据中心所使用的服务器正在向大容量、高性能方向发展，如何降低功耗量就成为一个亟需解决的课题。另一方面，比硅（Si）元器件损耗更低的SiC元器件被寄予厚望。

　　2015年，ROHM于全球第一家成功实现沟槽栅结构SiC MOSFET的量产。未来也会继续推进创新型元器件的开发，同时提供包括非常适用于SiC驱动的栅极驱动器IC等在内的解决方案。